PlasmaPro 100 PECVD

PlasmaPro 100 PECVD 系統專為製備高品質薄膜而設計，具備卓越的均勻性，並能精確控制折射率、應力、電特性及濕式化學刻蝕速率等薄膜性能。此先進的等離子增強化學氣相沉積（PECVD）系統適用於介質鈍化膜（如 SiO2、SixNy）、碳化矽、非晶矽、硬掩模沉積及抗反射塗層的製備。

• 高品質薄膜、高產能、卓越的均勻性

• 高密度等離子體與低壓沉積工藝

• 對折射率和應力的精確控制

• 相容於最大 200mm 尺寸的晶圓

• 支援晶圓尺寸快速切換

• 低擁有成本，易於維護保養

• 電阻加熱電極，加熱能力涵蓋 400°C 至 1200°C

• 支持原位腔體清洗及終點偵測功能